期刊信息
- 刊名： 河北师范大学学报（自然科学版）Journal of Hebei Normal University (Natural Science)
- 主办： 河北师范大学
- ISSN： 1000-5854
- CN： 13-1061/N
- 中国科技核心期刊
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静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟
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1. 军械工程学院 静电与电磁防护研究所, 河北 石家庄 050003;
2. 中国电子科技集团 第13研究所5专部, 河北 石家庄 050051 -
DOI：
Experiment Simulation on Latent Failure of ESD on Microelectric Device 2SC3356
摘要/Abstract
摘要：
研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.
Abstract：
A latent failure study on the low-level electrostatic discharge(ESD) stresses on microelectric device is dealt with.A series of low-level ESD stresses are imposed on microwave low noise transistor 2SC3356 by using the human body model(HBM).It is shown that ESD stresses,even at a level below the failure threshold,can impact the device lifetime by creating latent defects.
关键词
Key words：
ESD
;
microelectric device
;
latent failure